技術(shù)編號(hào)：7012912
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種，根據(jù)工藝需求來增加沉積的介質(zhì)層厚度和/或減小正常的介質(zhì)層去除厚度，以補(bǔ)償在工藝進(jìn)行中介質(zhì)層出現(xiàn)的非必要損耗，減小工藝完成后的介質(zhì)層與標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)層厚度的差異性。本發(fā)明在接觸孔刻蝕工藝中，通過增加介質(zhì)層沉積厚度和/或減小化學(xué)機(jī)械研磨的厚度，來使得最終得到的介質(zhì)層厚度等于標(biāo)準(zhǔn)的層間介質(zhì)層厚度，有利于器件性能的提升；同時(shí)無需對(duì)現(xiàn)有制程做出調(diào)整，具有較強(qiáng)的可行性。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，確切的說，涉及一種。背景技術(shù)[0002]現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。