技術(shù)編號：7012818
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種強(qiáng)場負(fù)脈沖耿氏二極管，包括外延片，外延片包括自下而上依次設(shè)置的半絕緣砷化鎵襯底、n++砷化鎵緩沖層、n-砷化鎵有源層、n+砷化鎵控制層和n++砷化鎵接觸層，其中n-砷化鎵有源層長5～10微米，摻雜濃度為5×1015～8×1015cm-3，本發(fā)明還公開一種強(qiáng)場負(fù)脈沖耿氏二極管的制備方法，利用適當(dāng)?shù)钠骷Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)耿氏二極管工作于逆向耿氏偶極疇模式下，能夠使現(xiàn)有耿氏二極管的輸出功率和效率提高數(shù)倍，解決了目前耿氏二極管輸出效率低下的問題。專利說明[00...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。