技術編號：7012789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是一種基于自對準埋柵結構的二維材料場效應晶體管制造方法，在高阻襯底上制備源、漏電極，用平板印刷術制備自對準區(qū)，以薄層金屬將源、漏電極連接起來，之后在自對準區(qū)中用平板印刷術制備出柵電極圖形，并將自對準區(qū)中連接源漏電極的金屬從光刻柵圖形下腐蝕隔開，實現(xiàn)自對準，同一光刻圖形下生長柵電極、柵介質(zhì)完成埋柵結構，最后將二維材料轉(zhuǎn)移至以上準備的基片上，制備出自對準埋柵結構的二維材料場效應晶體管。優(yōu)點該設計方法形成的自對準結構，有利于減小源漏之間的寄生電阻。同時為了...
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