技術(shù)編號：7012765
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其是一種SiCN薄膜中C元素的去除方法，以及含有SiCN薄膜的監(jiān)控片的循環(huán)再生處理工藝。其中，C元素的去除方法為使用O3等離子體對SiCN薄膜中的C元素進(jìn)行灰化處理，氧自由基與SiCN薄膜中的C元素反應(yīng)形成CO或CO2被抽離。本發(fā)明使用O3灰化工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)的O2灰化工藝，O3可在較低能量下形成氧自由基，所以O(shè)3等離子體與O2等離子體相比，氧化能力更強(qiáng)，從而C元素的去除能力也更強(qiáng)，以達(dá)到優(yōu)化SiCN的循環(huán)再使用目的，增加硅片的重復(fù)使用...
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