技術(shù)編號：7012716
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種操作器件晶片和疊層結(jié)構(gòu)的方法和處理疊層結(jié)構(gòu)的裝置。提供用于通過使用包含一個或多個可釋放層的接合結(jié)構(gòu)暫時使操作器晶片與器件晶片接合的結(jié)構(gòu)和方法，這些可釋放層吸收長波長紅外輻射以通過紅外輻射燒蝕實現(xiàn)晶片脫粘。專利說明操作器件晶片和疊層結(jié)構(gòu)的方法和處理疊層結(jié)構(gòu)的裝置[0001]本發(fā)明一般涉及晶片操作技術(shù)，特別是涉及用于通過使用包含一個或多個可釋放層的接合結(jié)構(gòu)暫時使操作器晶片(handler wafer)與器件晶片接合的結(jié)構(gòu)和方法,該可釋放層吸收紅外輻射以通過...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。