技術(shù)編號：7011754
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的課題是抑制使化合物半導體外延生長時的組成不均勻。一種在MOCVD裝置中保持晶片（W）的晶片保持體（30），具備裝載晶片（W）的裝載部件（40）；和被裝載于裝載部件（40），并且限制裝載部件（40）所裝載的晶片（W）的移動的環(huán)狀的限制部件（50）。在裝載部件（40）的上表面設(shè)有裝載晶片（W）的晶片裝載面和裝載限制部件（50）的環(huán)形裝載面，晶片裝載面相比于環(huán)形裝載面向上方突出地形成，并且具有與周緣部相比中央部隆起的凸狀的形狀，晶片裝載面的算術(shù)平均粗糙度...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。