技術(shù)編號：7010947
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了。該方法包括如下步驟（1）通過化學氣相沉積法，在Si襯底表面上生長SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻膠，并對所述光刻膠依次進行前烘、曝光、后烘和顯影，即在所述SiO2薄膜上得到電子束光刻對準標記圖形；（3）根據(jù)電子束光刻對準標記圖形進行電子束曝光，得到納米量級的線條；（4）刻蝕所述SiO2薄膜，則在所述SiO2薄膜上得到所述納米量級的線條；（5）通過深反應離子刻蝕所述Si襯底，即獲得垂直方向上的納米網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用電子束光刻和...
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