技術編號：7010183
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，該晶體管包括源極、漏極和IGZO薄膜層，還包括鉿釹合金薄膜層，所述IGZO薄膜層的第一表面與所述源極和漏極接觸，所述IGZO薄膜層的與第一表面相背的另一表面與所述鉿釹合金薄膜層接觸。本氧化物薄膜晶體管具有穩(wěn)定的電學性能。專利說明[0001]本發(fā)明涉及晶體管領域，具體涉及氧化物薄膜晶體管及其制造方法。背景技術[0002]在近十幾年的時間中，以硅基TFT為驅動單元的液晶顯示器件以其體積小、重量輕、品質高等一系列優(yōu)點獲得了迅速發(fā)展，并成為主流的信息...
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