技術(shù)編號(hào)：7009808
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、源極以及漏極、金屬氧化物半導(dǎo)體層、第一金屬氧化物導(dǎo)電層以及第二金屬氧化物導(dǎo)電層。柵極絕緣層覆蓋柵極。源極以及漏極位于柵極絕緣層上。金屬氧化物半導(dǎo)體層覆蓋源極、漏極以與柵極上方的柵極絕緣層，以作為通道層。第一金屬氧化物導(dǎo)電層位于源極與金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，以使源極與金屬氧化物半導(dǎo)體層隔離開來。第二金屬氧化物導(dǎo)電層位于漏極與金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，以使漏極與金屬氧化物半導(dǎo)體層隔離開來。專利說明[0001]本發(fā)明...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。