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一種清洗單晶硅片表面的方法技術資料下載

技術編號:7009707

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本發(fā)明涉及。其特點是,包括如下步驟首先在預清洗槽內加入雙氧水和氫氧化鈉得到混合溶液,在該混合溶液中雙氧水的濃度為2%-3%,NaOH的濃度為0.15%-0.3%,配合超聲對單晶硅片進行清洗,清洗時混合溶液浸沒過單晶硅片。經過試用證明,采用本發(fā)明的方法后,制絨時間縮短,提高了產量,硅片表面油污、白斑、手印等臟污被完全洗凈,返工片數(shù)量大量減少,降低硅片的報廢比例,相應減少了由于硅片制絨后返工所需化學品使用量。專利說明[0001]本發(fā)明涉及。背景技術[0002]...
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