技術(shù)編號：7009704
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有串聯(lián)的雙NMOS的集成電路，包括至少一個(gè)第一NMOS，置于晶圓第一面，具有第一柵極和第一源極；至少一個(gè)第二NMOS，置于晶圓第二面，具有第二柵極和第二源極；所述至少一個(gè)第一NMOS和至少一個(gè)第二NMOS在與晶圓表面垂直的縱向上共用N-型半導(dǎo)體襯底的N-區(qū)域，所述至少一個(gè)第一NMOS的柵極和至少一個(gè)第二NMOS的源極的位置彼此對應(yīng)，所述至少一個(gè)第一NMOS的源極和至少一個(gè)第二NMOS的柵極的位置彼此對應(yīng)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通電阻相等的情況下，晶...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。