技術(shù)編號：7009397
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求13的前·序部分所述的光伏太陽能電池，以及根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的一種制造光伏太陽能電池的方法。背景技術(shù)光伏太陽能電池通常由半導體結(jié)構(gòu)組成，所述半導體結(jié)構(gòu)具有基極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域，其中所述半導體結(jié)構(gòu)通常主要由半導體基底形成，例如硅基體。在半導體結(jié)構(gòu)中，光線通常在太陽能電池的前側(cè)之上耦合，由此在耦合光線被吸收進太陽能電池之后，出現(xiàn)了電子空穴對的產(chǎn)生。在基極和發(fā)射極區(qū)域之間形成PN結(jié)，在PN結(jié)上所產(chǎn)生的電荷載體對被分離。此外太陽能...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。