技術編號：7008825
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了，通過SACVD工藝形成第一氧化層后，執(zhí)行干法回刻蝕工藝消除第一氧化層中的脆弱面，然后再通過HDPCVD工藝形成第二氧化層。另外，通過SACVD工藝形成第一氧化層后執(zhí)行熱處理工藝，經過熱處理的第一氧化層和HDPCVD工藝形成的第二氧化層在致密性方面非常接近熱氧化物，因此溝槽內的氧化物作為整體其特性是一致并匹配的，在后續(xù)的制程中并不會產生差異。由此形成的淺溝槽隔離結構的隔離效果好，包含淺溝槽隔離結構的半導體器件的穩(wěn)定性好，不易發(fā)生漏電、擊穿。專利...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。