技術(shù)編號(hào):7008233
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及器件制造領(lǐng)域并且,尤其是,涉及用于太陽(yáng)能電池器件尤其是硅太陽(yáng)能電池器件的背點(diǎn)觸點(diǎn)的形成。背景技術(shù)太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體器件的制造典型地包括與p-n結(jié)器件的金屬觸點(diǎn)的形成。半導(dǎo)體材料(例如,硅)吸收光并且產(chǎn)生之后可以由器件中的P-n結(jié)分離的電子和空穴載流子。多數(shù)載流子(例如,η型半導(dǎo)體材料中的電子)通過(guò)形成至器件的P型和η型材料兩者的金屬觸點(diǎn)收集。在標(biāo)準(zhǔn)的絲網(wǎng)印刷硅太陽(yáng)能電池中,η型金屬觸點(diǎn)(其收集電子)通過(guò)絲網(wǎng)印刷和隨后燒制在基于晶片的器件的前側(cè)(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。