技術(shù)編號(hào):7007155
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使導(dǎo)入到處理容器內(nèi)的處理氣體等離子化而對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的。背景技術(shù)以往以來(lái),在半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域中,經(jīng)常采用利用等離子體對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的技術(shù)。等離子體處理大致分為等離子體蝕刻和等離子體CVD (Chemical VaporDeposition 化學(xué)氣相沉積)。等離子體蝕刻在形成半導(dǎo)體器件的微細(xì)圖案這方面來(lái)說(shuō)與光刻(lithography)同樣是重要的基礎(chǔ)技術(shù)。在今后的LSI (Large Scale Integration 大規(guī)模...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。