技術(shù)編號(hào):7006764
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及肖特基二極管的原型器件及其制備方法。背景技術(shù) 肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢(shì)壘進(jìn)行工作的一種多數(shù)載流子器件。傳統(tǒng)的肖特基二極管反向特性較差,并且制作工藝繁瑣。制作肖特基二極管原型器件最常用的材料是Si,SiC,金剛石。Si材料不適合在高溫下工作,不宜作為大功率與抗輻射器件。SiC,金剛石價(jià)格昂貴,生長(zhǎng)溫度高(>1000℃)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種適合在高溫,強(qiáng)輻射條件下使用的肖特基二極管原型器件及其制備方法。本發(fā)明的肖特基二極管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。