技術(shù)編號：7006754
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種電容器的制造方法，尤指一種，其中電容器的底電極是做成圓柱形的容器形狀，且使底電極粗糙化以增加底電極的表面積，藉以增加電容器的電容。背景技術(shù) 近年來在半導(dǎo)體存儲器元件的發(fā)展包含了各種增加集成度的技術(shù)。半導(dǎo)體存儲器元件典型地具有一晶體管與一電容器，電荷被儲存于與晶體管相連結(jié)的電容器的儲存節(jié)點(diǎn)上。為使集成度增加，必須使半導(dǎo)體存儲器元件的尺寸做得更小。在半導(dǎo)體存儲器中，可借著增加記憶胞電容器的電容來改善記憶胞的運(yùn)作。記憶胞電容器的電容是與儲存電極的表...
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