技術(shù)編號：7006274
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種刻蝕方法，尤其涉及一種對Η 2薄膜的高選擇性干法刻蝕方法。 背景技術(shù)現(xiàn)有專利(申請?zhí)?00480014635. 1，用于刻蝕高k介電材料的方法和系統(tǒng))使用鹵素氣體結(jié)合其他還原氣體對高k值材料進行刻蝕，但是其選用的氣體本身具有各種局限性含氟等離子體對高k介電材料的刻蝕以轟擊濺射效應(yīng)為主，且難以生成揮發(fā)性產(chǎn)物，因而無法對襯底進行高選擇性刻蝕；氯氣雖然在理論上可以與高k介電材料形成揮發(fā)性產(chǎn)物，但是由于其離子能量較低，不足以破壞Hf-O鍵，因此對于...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。