技術(shù)編號(hào)：7005922
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高LED芯片透射率的膜層及其制備方法。 背景技術(shù)LED作為一種新型光源，具有發(fā)光效率高、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為取代白熾燈和熒光燈的第四代光源。為了達(dá)到通用照明的標(biāo)準(zhǔn)，增大LED的發(fā)光效率是當(dāng)前研究熱點(diǎn)之一。LED的發(fā)光效率包括內(nèi)量子效率和外量子效率，內(nèi)量子效率是指有源層中電子與空穴復(fù)合時(shí)的發(fā)光效率，外量子效率則為發(fā)光層發(fā)出的從芯片表面出射的效率。而作為成熟的紅、 綠、藍(lán)色發(fā)光二極管技術(shù)，由于LED芯片折射率較高，有源層發(fā)出的光在芯片表面有...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。