技術(shù)編號(hào)：7005910
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別是III族氮化物半導(dǎo)體藍(lán)色發(fā)光器件。背景技術(shù) 對(duì)于發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器這類光電子器件，要求對(duì)注入的電子(n型載流子)和空穴(p型載流子)都能限制在有源區(qū)(active layer)，并在那里復(fù)合發(fā)光。人們在有源區(qū)的兩側(cè)用禁帶寬度比有源層更大的半導(dǎo)體材料形成勢壘層，并根據(jù)摻雜的不同，可分別實(shí)現(xiàn)對(duì)電子和空穴的約束。對(duì)于包層材料，不僅要考慮能否形成適當(dāng)?shù)膭輭靖叨取＿€要考慮它與兩邊的半導(dǎo)體層、有源層是否能晶格匹配，否則將破壞器件結(jié)構(gòu)和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。