技術(shù)編號(hào):7005471
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,具體而言涉及一種采用新的銅金屬擴(kuò)散阻擋層以改善柵氧化層漏電現(xiàn)象的方法。背景技術(shù)隨著IC制造集成度的不斷提高,MOS器件的柵氧化層變得越來(lái)越薄。雖然工作電壓得以降低,但是器件的日益微型化以及性能的不斷提高使得施加于柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度更高。電場(chǎng)強(qiáng)度越高,柵氧化層漏電現(xiàn)象越嚴(yán)重,發(fā)生經(jīng)時(shí)介電擊穿(TDDB)的時(shí)間越短,因此,對(duì)柵氧化層可靠性的要求越來(lái)越高。影響柵氧化層可靠性的因素很多,例如柵氧化層本身構(gòu)成材料的性能、形成柵氧化層的方法、...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。