技術(shù)編號(hào)：7005087
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及LDMOS功率器件制作領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及多流向元胞集成的LDMOS功率器件。背景技術(shù)LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor,橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)最早是1969年由Y. Tarui等人提出，它在保持普通MOSFET優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，通過(guò)橫向雙擴(kuò)散技術(shù)形成溝道區(qū)，并在漏極和溝道之間引入漂移區(qū)。LDMOS是一種電壓控制...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。