技術(shù)編號(hào)：7005028
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及電子器件以及形成電子器件的工藝，并且更特別地涉及包括在溝槽內(nèi)的特征件(feature)的電子器件及其形成工藝。背景技術(shù)穿過晶片的通孔典型地被用來形成在堆疊結(jié)構(gòu)的不同管芯之間的連接。此類通孔能夠通過在晶片的其中一個(gè)主表面上形成電路來形成。然后通過背研磨或其它機(jī)械操作使晶片變薄，并且然后形成通孔通過晶片的全部或基本上全部的剩余厚度。每個(gè)通孔具有類似于但稍微小于由鍵合焊盤所占用的區(qū)域的寬度。由此，通孔的寬度為50微米或更大。通孔包括體硅、多晶硅、元素金...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。