技術(shù)編號：7004959
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種超級結(jié)器件的終端保護結(jié)構(gòu)；本發(fā)明還涉及一種超級結(jié)器件的終端保護結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)超級結(jié)MOSFET采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，利用一系列的交替排列的P型半導體薄層和 N型半導體薄層來在截止狀態(tài)下在較低電壓下就將所述P型半導體薄層和N型半導體薄層耗盡，實現(xiàn)電荷相互補償，從而使P型半導體薄層和N型半導體薄層在高摻雜濃度下能實現(xiàn)高的擊穿電壓，從而同時獲得低導通電阻和高擊穿電壓，打破傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限。 同已...
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