技術(shù)編號：7004879
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種，尤指一種利用非離子注入工藝以及激光處理工藝來形成低阻抗摻雜層的薄膜晶體管及其制作方法。背景技術(shù)多晶硅(poly silicon)薄膜晶體管通過多晶硅材料本身高電子移動率 (electrical mobility)的特性因而具有較一般廣泛使用的非晶硅薄膜晶體管更佳的電性表現(xiàn)。隨著低溫多晶硅(low temperature poly silicon, LTPS)工藝技術(shù)不斷精進(jìn)，一些主要問題例如大面積的薄膜均勻性不佳已逐漸獲得改善。因此，目前...
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