技術編號：7004287
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使等離子體生成用的高頻電力和偏置(bias)用的高頻電力脈沖波狀地施加而生成等離子體，用該等離子體對基板實施規(guī)定的蝕刻處理的。背景技術在對于以半導體晶片為主的基板中實施配線加工等時，需要對基板實施微細的加工處理，利用等離子體的被廣泛應用。在這種中，應用有應該滿足反應性離子蝕刻(Reaction Ion Etching)處理的加工形狀細致化等的要求的，使等離子體脈沖波狀地產生的技術。通過使等離子體脈沖波狀地產生，能夠適當?shù)乜刂频入x子體生成氣體的離解...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。