技術(shù)編號(hào)：7003776
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及采用Sllicon On Insulator(以下，簡(jiǎn)稱為「SOI」))技術(shù)的電光裝置與半導(dǎo)體裝置的制造方法、電光裝置與半導(dǎo)體裝置，以及投影顯示裝置與各種電器；特別涉及高成品率地制造高可靠性的電光裝置與半導(dǎo)體裝置的方法，以及可靠性優(yōu)良的電光裝置與半導(dǎo)體裝置。并且，在半導(dǎo)體集成電路裝置中，應(yīng)用使得層厚不同的半導(dǎo)體區(qū)域在SOI基片上混合存在的技術(shù)，例如，在以下的專利文獻(xiàn)1中有這樣的記述埋入氧化膜上形成的層厚不同的硅層中，通過(guò)在厚的硅層中形成部分耗盡型...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。