技術(shù)編號：7003550
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及ー種絕緣柵雙極晶體管，本發(fā)明還涉及一種絕緣柵雙極晶體管的制作方法。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor, IGBT)是一種電壓控制的MOS/雙極復(fù)合型器件，這種器件同時具有雙極結(jié)型功率晶體管和功率MOSFET的主要優(yōu)點輸入阻抗高、輸入驅(qū)動功率小、導(dǎo)通電阻小、電流容量大、開關(guān)速度快等。IGBT結(jié)構(gòu)和VDMOS結(jié)構(gòu)非常相似，如圖2所示，為現(xiàn)有第一種IGBT的結(jié)構(gòu)示...
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