技術(shù)編號(hào):7002918
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作,且特別涉及一種組件內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)(intra-deviceisolation structure)的制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)今的集成電路是由在例如硅基板的半導(dǎo)體基板上橫向地設(shè)置數(shù)百萬(wàn)計(jì)的例如晶體管與電容器等各別組件(device)而形成的。這些各別組件之間是通過(guò)例如娃的局部氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)、凹陷型LOCOS (recessed LOCOS)與溝槽隔離(trench isolation)等...
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