技術(shù)編號：7002867
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及非易失性存儲元件、包括該非易失性存儲元件的存儲裝置及該非易失性存儲元件的形成方法。背景技術(shù)非易失性存儲裝置通常包括磁隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)、相變 RAM(PRAM)、電阻式RAM(RRAM)等。它們之中，RRAM是電阻式存儲裝置并基于材料的電阻變化來存儲數(shù)據(jù)。在RRAM中，當施加到電阻變化材料的電壓大于或等于設(shè)定電壓時，電阻變化材料的電阻從高電阻狀態(tài)變?yōu)榈碗娮锠顟B(tài)(也稱為“ON狀態(tài)”)。當施加到電阻變化材料的電壓大于或...
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