技術(shù)編號(hào)：7002647
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造，特別涉及。背景技術(shù)長(zhǎng)期以來，為了獲得更高的芯片密度、更快的工作速度以及更低的功耗。金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特征尺寸一直遵循著所謂的摩爾定律 (Moore' slaw)不斷按比例縮小，其工作速度越來越快。當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入到了納米尺度的范圍。然而，隨之而來的一個(gè)嚴(yán)重的挑戰(zhàn)是出現(xiàn)了短溝道效應(yīng)，例如亞閾值電壓下跌(Vt roll-off)、漏極引起勢(shì)壘降低(DIBL)、源漏穿通(punch through)等現(xiàn)象，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。