技術(shù)編號(hào):7002157
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及ー種,更具體地,涉及ー種包含通過(guò)硅化工藝形成的金屬硅化物層的。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的集成度的提高,半導(dǎo)體器件內(nèi)的導(dǎo)線寬度和導(dǎo)線之間的間隔變得更小。在減小導(dǎo)線之間的干擾方面,在相鄰的導(dǎo)線之間可以形成氣隙,其中所述干擾通常 隨著間隔/寬度而増大。此外,在改善隨著所述寬度的減小而變化的導(dǎo)線電阻方面,可以通過(guò)使形成導(dǎo)線的疊層的一部分硅化而將導(dǎo)線的一部分制成金屬硅化物層。這里,在使用氣隙形成エ藝和硅化工藝二者時(shí),在先于硅化工藝進(jìn)行的拋光エ...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。