技術(shù)編號：7002010
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的，特別是指發(fā)光二極管的襯底移除方法。 背景技術(shù)發(fā)光二極管(LED)芯片的基本結(jié)構(gòu)是在藍寶石襯底上外延生長一個外延層，例如 hGaN/GaN發(fā)光半導(dǎo)體材料)，然后在外延層的上表面制作正/負金屬電極用于注入電流， 實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換成光能。由于發(fā)光二極管是一種節(jié)能、環(huán)保、長壽命的固體光源，因此近十兒年來對半導(dǎo)體發(fā)光二極管技術(shù)的研究一直非?；钴S，希望將來能夠取代目前普遍使用的日光燈、白熾燈。 全世界許多大公司投入大量資金致力于提高大功率半導(dǎo)體...
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