技術(shù)編號：7001757
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備工藝，尤其是一種減少埋層空洞型SOI晶片拋光加工過程中容易產(chǎn)生頂層硅膜破裂的工藝，屬于微電子材料工藝。背景技術(shù)MEMS技術(shù)發(fā)展迅速，SOI MEMS技術(shù)受到越來越廣泛的重視。在S0IMEMS技術(shù)中常需要在埋層結(jié)構(gòu)中制造圖形，形成埋層空洞型SOI結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致了埋層空洞型SOI晶片產(chǎn)品被開發(fā)出來。芬蘭Okmetic公司、美國IceMOS公司已開始銷售埋層空洞型SOI晶片(Cavity SOI)產(chǎn)品。國內(nèi)中國電子科技集團(tuán)公司第48所、中國電...
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