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半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7001756

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種。背景技術(shù)集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路中的主要器件是金屬氧化物半導(dǎo)體(MetalOxide Semiconductor,簡稱M0S)。集成電路自發(fā)明以來,其在性能和功能上的進步是突飛猛進的,并且MOS器件的幾何尺寸一直在不斷縮小,目前其特征尺寸已經(jīng)進入納米尺度。如圖I所示為MOS晶體管結(jié)構(gòu)示意圖,所述MOS晶體管包括襯底010,所述襯底010包括正面001及與正面001相對的背面002 ;位于所述襯底010正面001...
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