技術編號：7001755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及半導體領域，特別涉及。背景技術隨著半導體制造工藝的不斷發(fā)展，集成電路中的晶體管的特征尺寸(⑶，CriticalDimension)越來越小,為了解決小尺寸器件帶來的一系列問題,采用高介電常數(shù)(High-K)材料的柵介質層和金屬柵(Metal Gate)相結合的技術被引入至MOS晶體管的制造過程中，目前，高K金屬柵(HKMG，High-K Metal Gate)技術已經成為32nm以下級別制造工藝的主流。其中，對于金屬柵的化學機械拋光(CM...
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