技術(shù)編號(hào)：7001584
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并且尤其涉及氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和相關(guān)方法。 背景技術(shù)在制作半導(dǎo)體器件的過程中，可以使用與襯底或底層晶格失配的半導(dǎo)體材料。例如，按照常規(guī)GaN被制作在藍(lán)寶石襯底、硅襯底或碳化硅襯底上。GaN的未應(yīng)變的晶格常數(shù)是3. 19，而藍(lán)寶石的未應(yīng)變的晶格常數(shù)是4. 76并且碳化硅的是3. 07。因此，生長(zhǎng)在襯底上的GaN層可能會(huì)產(chǎn)生應(yīng)變。如果情形是這樣并且如果應(yīng)變的等級(jí)超過某一閾值，則GaN層可能破裂，其可能使所述材料在半導(dǎo)體器件的使用中不能被接受...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。