技術(shù)編號(hào)：7001344
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及。更具體的，本發(fā)明涉及包括N溝道應(yīng)變半導(dǎo)體器件的。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸不斷縮減。應(yīng)力記憶技術(shù)已成為日漸廣泛應(yīng)用的一種應(yīng)變器件技術(shù)，以增強(qiáng)器件的電性能。如本領(lǐng)域中所知的，對(duì)三維結(jié)構(gòu)施加的應(yīng)力的水平將影響最終的器件的性能。例如，對(duì)于N溝道半導(dǎo)體器件(例如，NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱為NMOS晶體管)，較高的拉應(yīng)力能夠?qū)е螺^高的載流子遷移率。 現(xiàn)有技術(shù)存在一種用于N溝道半導(dǎo)體器件的應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT)。如圖8所...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。