技術編號：7000813
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微電子，涉及半導體器件，特別是一種N溝道積累型SiC IEM0SFET器件及制備方法。背景技術SiC以其優(yōu)良的物理化學特性和電學特性成為制造高溫、大功率電子器件的一種最有優(yōu)勢的半導體材料，并且具有遠大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件 MOSFET的研發(fā)始于20世紀90年代，具有輸入阻抗高、開關速度快、工作頻率高、耐高溫高壓等一系列優(yōu)點，已在開關穩(wěn)壓電源、高頻加熱、汽車電子以及功率放大器等方面取得了廣泛的應用。然而，目前SiC功率MOS...
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