技術(shù)編號(hào)：7000543
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件，涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。 背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管Qnsulate Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一種由 MOSFET 和雙極功率晶體管結(jié)合而成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。被認(rèn)為是一種可用于高壓、大電流和高速應(yīng)用領(lǐng)域的理想功率器件。因?yàn)樗染哂蠱OSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度高的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)廣泛應(yīng)用于電磁爐、UP...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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