技術(shù)編號(hào)：7000294
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具備半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 作為使用具備半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體器件的一例的晶體管，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的晶體管廣為人知。圖5是現(xiàn)有的DRAM的晶體管的剖面圖。圖5所示的現(xiàn)有的DRAM晶體管具有如下的結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有的晶體管在半導(dǎo)體襯底1上形成包含p型雜質(zhì)的SiGe結(jié)晶膜襯底2。還有，在SiGe結(jié)晶膜襯底2上，形成具有作為溝道區(qū)功能的包含p型雜質(zhì)的Si結(jié)晶膜4。還有，在Si結(jié)晶膜4的兩側(cè)形成具有作為源/漏區(qū)功能的包含n型雜質(zhì)的Si結(jié)晶膜3。還...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。