技術(shù)編號(hào)：7000270
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵(GaN)系發(fā)光二極管的摻雜方法，特別是涉及多量子阱壘層。背景技術(shù)目前III-V族半導(dǎo)體光電材料被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。而GaN系發(fā)光二極管， 由于可以通過控制材料的組成來制作出各種色光(尤其是需要高能隙的藍(lán)光或紫光)的發(fā)光二極管(簡稱為“LED” )，而成為業(yè)界研究的重點(diǎn)。以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料或器件的外延生長目前主要采用MOCVD技術(shù)。在利用 MOCVD技術(shù)生長氮化物半導(dǎo)體(GaN、A1N、InN及它們的合金氮化物)的工藝中，由...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。