技術(shù)編號：6999735
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及一種場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù) 制造高速度、低功耗的半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體工藝的核心。在場效應(yīng)晶體管的制備技術(shù)中，一個關(guān)鍵問題是要降低關(guān)態(tài)泄漏電流，減小器件的靜態(tài)功耗，提高器件的電流開關(guān)比、盡可能減小由DIBL效應(yīng)引起的閾值電壓漂移。解決這個問題對制造高速、低功耗的集成電路有重要意義。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種低靜態(tài)功耗、低關(guān)態(tài)電流、高電流開關(guān)比的場效應(yīng)晶體管器件，為改善器件性能提供一個優(yōu)化的方向。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。