技術(shù)編號:6999672
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,特別涉及一種以反應(yīng)式離子蝕刻(RIE)技術(shù)進(jìn)行表面粗糙化后的制程改良的。背景技術(shù)已知太陽能電池結(jié)構(gòu)中,其光照面通常具有凹凸結(jié)構(gòu),借此降低太陽能電池表面對于光的反射率,提升太陽光入射比例。上述的表面凹凸結(jié)構(gòu),可以利用反應(yīng)式離子蝕刻法(Reactive Ion Etching,簡稱RIE)蝕刻基板表面而形成。參閱圖1,雖然RIE制程能蝕刻基板11而達(dá)到基板11表面凹凸的需求,但此制程 中的帶電粒子(等離子)也會因此與基板11材料反應(yīng),使基板11...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。