技術(shù)編號：6999639
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬柵極結(jié)構(gòu)，尤指一種n型金屬柵極結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體元件尺寸持續(xù)微縮，傳統(tǒng)方法中利用降低柵極介電層，例如降低二氧化硅層厚度，以達(dá)到最佳化目的的方法，面臨到因電子的隧穿效應(yīng)(tunneling effect)而導(dǎo)致漏電流過大的物理限制。為了有效延展邏輯元件的世代演進(jìn)，高介電常數(shù)(以下簡稱為high-K)材料因具有可有效降低物理極限厚度，并且在相同的等效氧化厚度(equivalent oxide thickness,以下簡稱為EOT)下,有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。