技術(shù)編號(hào)：6998562
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 當(dāng)前實(shí)施例涉及一種多晶硅層、一種使硅層晶化的方法、一種使用該多晶硅層的薄膜晶體管(TFT)和一種包括該多晶硅層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。背景技術(shù)薄膜晶體管(TFT)是一種通過在絕緣支撐基底上利用半導(dǎo)體薄膜來制備的電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。與電FET—樣，TFT可以包括三個(gè)器件，例如，柵極、漏極和源極，并且 TFT可以執(zhí)行開關(guān)操作。TFT通過調(diào)節(jié)提供到柵極的電壓，以使在源極和漏極之間流動(dòng)的電流通過或者截?cái)?，從而?zhí)行開關(guān)操作。TFT用在傳感器、存儲(chǔ)器裝置或光學(xué)裝置...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。