技術(shù)編號：6998380
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法，特別是一種Ag/ITO/氧化鋅基復(fù)合透明電極發(fā)光二極管及其制作方法。背景技術(shù)理論上LED的發(fā)光效能可以高達(dá)2001m/W以上，而現(xiàn)在的白光LED則只有1001m/W 左右，與節(jié)能型熒光燈相比還有一定差距；而且其價(jià)格與傳統(tǒng)光源相比也有很大的劣勢。提高LED的發(fā)光效率主要有兩種途徑1)提高LED芯片的內(nèi)量子效率；2 )提高LED芯片的外量子效率。目前，超高亮度LED的內(nèi)量子發(fā)光效率已經(jīng)有非常大的改善，最高已經(jīng)達(dá)到80%...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。