技術(shù)編號：6998145
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及太陽能電池，特別涉及一種PECVD法制備雙面異質(zhì)結(jié)太陽能電池的串行式設(shè)備。背景技術(shù)薄膜硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池是一種可以采用低成本實(shí)現(xiàn)的高效晶體硅太陽電池。這種太陽電池利用摻雜薄膜硅層在晶硅襯底上制作pn結(jié)。這層薄膜硅層通常只有十幾個(gè)納米厚，并且可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝在200°C以下沉積完成。因此，相比于傳統(tǒng)的靠擴(kuò)散制備pn結(jié)的太陽電池，薄膜硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池所需能量投入少，并具有較高的開路電壓，因而引起很大...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。