技術(shù)編號：6997961
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，并且更具體而言，涉及一種包括形成硅化物膜步驟的。背景技術(shù)隨著高度集成半導(dǎo)體元件的發(fā)展，要求將晶體管柵極尺寸或者其互連寬度小型化，并且為了晶體管的高速工作而要減小柵極和源/漏區(qū)的電阻。作為解決這種需求的技術(shù)，使用其中通過以自對準(zhǔn)方式形成金屬和硅的低電阻硅化物化合物來降低由多晶硅制成的柵極和源/漏區(qū)電阻的自對準(zhǔn)硅化物工藝。在自對準(zhǔn)硅化物工藝中，將諸如Ni、Co和Ti的金屬形成在其中形成有由多晶硅制成的柵極和源/漏區(qū)的晶片上，并且對其施加熱處理。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。