技術編號：6997896
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及埋置絕緣體型半導體碳化硅襯底的制作方法和制作裝置。不過，現(xiàn)在還沒有形成帶有單晶碳化硅和SOI襯底特性的埋置絕緣體型半導體碳化硅襯底的制作方法。關于在硅襯底上形成單晶碳化硅薄膜的方法，例如，可以在硅襯底上進行等離子體型氣相之類的反應，可以把這樣的技術用于SOI襯底，這樣在SOI襯底上形成單晶碳化硅薄膜。另外，現(xiàn)在SOI襯底中的表面硅層薄膜厚度超過50nm。根據(jù)在SOI襯底上形成單晶碳化硅薄膜的方法(其中，在單晶碳化硅薄膜和埋置絕緣體之間設置有硅層)...
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